- переходы электронов из валентной зоны полупроводника в зону проводимости, сопровождающиеся образованием (генерацией) пары носителей заряда электрон проводимости - дырка; обратные M. п. наз. рекомбинацией носителей заряда. Генерационные M. п. могут быть обусловлены тепловым возбуждением, воздействием эл.-магн. волн и т. д. Рекомбинационные M. п. могут быть спонтанными и вынужденными (см. Полупроводники, Рекомбинация носителей заряда).
Физическая энциклопедия. В 5-ти томах. — М.: Советская энциклопедия.Главный редактор А. М. Прохоров.1988.
Смотреть больше слов в «Физической энциклопедии»